【本周要闻】花旗：存储行情将触底；库存500多亿美元！两大存储巨头恐爆亏50亿美元；华为：基本实现14纳米以上EDA工具国产化
1. 机构：看好NAND与NOR表现，对硅晶圆与设备较保守3. 生产移出中国大陆？传苹果代工厂和硕将在印度设第2厂4. 华为：基本实现芯片14纳米以上EDA工具国产化5. 库存500多亿美元！三星、SK海力士Q1芯片业务恐爆亏数十亿美元6. 堆叠数超300层！SK海力士公告第8代3D NAND7. 南亚科：DRAM行情上半年仍弱，下半年有望回稳8. 华邦电：当前有回补库存的急单涌入，Q2营运可望大幅提升9. 美韩存储厂3D DRAM商业化加速，美光技术专利占优势机构：看好NAND与NOR表现，对硅晶圆与设备较保守 据台媒《科技新报》报道，美系投资机构表示，近期在存储市场中各类股前景预期有好有坏，该外资看好NAND Flash与NOR Flash的表现，但是较为保守看待硅晶圆与设备的表现。该投资机构指出，NAND Flash来说，预期价格将会较早落底，模组的价格也会跟着改善。原因是根据市调机构的资料显示，NAND Flash的价格将会在第2季触底，第三季有开始复苏的状况。而模组的价格变化通常落后芯片一季的时间，因此预计第四季模组就会看到较好的价格。至于，DRAM方面，因为制造商和模组厂的库存仍居高不下，这使得南亚科产能利用率在2023年第二季仍将维持70%的状态，而且利基型DRAM在第二季价格还预期将再下跌10%~15%状态下，导致这方面的市场预期还需要更长的时间才会恢复。针对NOR Flash 方面，虽然仍有价格下滑的问题，但因为有较为稳定的供应情况，使得2023 年第二季价格能够触底，第三季则开始回复复苏状态。这方面华邦电会比较受到青睐，加上华邦电有部分急单效应，比较好的前景与抵较低的股价情况下，华邦能获得「优于大盘」 的投资评等。而硅晶圆的部分，因为全球DRAM三大厂中的美光与SK海力士进一步减产冲击，以及南亚科持续维持70%稼动率的影响下，这对硅晶圆厂来说较为不利，这对环球晶来说就造成了影响。而相较于硅晶圆的市场前景，相关设备制造商也是如此。所以，该投资机构当前较为看好NAND Flash与NOR Flash 的表现，但是较为保守看待硅晶圆与设备的表现。因此，各股的挑选也从其中的各项条件来做选择。据Barron's、Seeking Alpha报道，花旗分析师Christopher Danely 22日发表研究报告指出，美光公布的财报及财测预料都将低于市场预期，还可能大规模打消库存。Danely并以美光将大幅打消库存为由，将2023会计年度的每股亏损、营收预估值修正至3.02美元、148亿美元，逊于之前预测的2.22美元、162亿美元。美光预定3月28日公布Q2财报；该公司高层2022年12月预测，Q2每股亏损中值将达0.62美元（加减0.10美元）。花旗相信，美光的Q3营收预估值将达35亿美元，低于市场普遍预测的37.8亿美元，每股亏损则将达1.42美元，逊于市场预期的亏损0.89美元。话虽如此，花旗仍重申美光投资评等为「买进」，目标价75美元，理由是存储市场正在落底。美光高层最近警告，存储产业供需失衡恐冲击毛利率。然而，花旗相信，美光已经缩减资本支出，韩国对手SK 海力士也跟进，有望于未来6个月让DRAM行情打出底部。生产移出中国大陆？传苹果代工厂和硕将在印度设第2厂 据路透社报道，熟知内情的两名消息人士透露，苹果公司的供应商和硕联合科技公司正透过谈判，要在印度开设第2家工厂。此时，苹果的合作伙伴持续将生产作业自中国对外分散。因谈话属私下性质而要求不具名的这两名消息人士说，和硕打算在印度坦米尔那都省南部城市清奈附近开办第2座设施，距投资1亿5000万美元的第一座设施开幕仅6个月。第一名消息人士说，和硕在印度的新厂是要「组装最新款iPhone手机」。和硕拒绝谈论此事，只表示，「本公司取得任何资产都将依据规定公布」。全球科技市场研究公司Counterpoint指出，在年化基础上，和硕目前占有苹果在印度生产iPhone手机的10%。近日，在华为举行的硬、软件工具誓师大会上，华为轮值董事长徐直军表示，华为芯片设计EDA工具团队联合国内EDA企业，共同打造了14nm以上工艺所需EDA工具，基本实现了14nm以上EDA工具国产化，2023年将完成对其全面验证。徐直军介绍，三年来，华为围绕硬件开发、软件开发和芯片开发三条研发生产线，完成了软件/硬件开发78款工具的替代，保障了研发作业的连续。其中，软件开发工具开发团队自2018年就开始布局，努力打造软件从编码、编译、测试、安全、构建、发布到部署等全套工具链，采用自研加联合合作伙伴一起研发的策略，解决工具连续性问题；硬件开发工具开发团队在合作伙伴的支持和帮助下，突破根技术，引进新架构，发布了云原生的原理图工具，打造了高速高密PCB版图工具，打磨了结构设计二维/三维CAD工具，布局了硬件多学科仿真工具；华为还与伙伴共同布局EDA芯片设计工具，拓展EDA工具软件的自主选择权，抓住对芯片设计市场的机遇，基本实现了14nm以上EDA工具国产化，2023年将完成对其全面验证。此外，华为创始人任正非表示，华为用三年时间内完成了13000颗以上器件的替代开发、4000个以上电路板的反复换板开发。尽管华为现在还处于困难时期，但在前进的道路上并没有停步。2022年，华为研发经费达238亿美元，几年后，随着公司利润增多在前沿探索上还会继续加大投入。
本处为广告，本文内容无关库存500多亿美元！三星、SK海力士Q1芯片业务恐亏数十亿美元 据韩媒《The Korea Herald》报道，根据三星3月19日提交给韩国金融监督院（Financial Supervisory Service）的申报文件，截至2022年第四季，该公司整体库存资产达到52.2万亿韩元（约399亿美元），刷新历史新高，远高于2021年的41.4万亿韩元。其中，占三星总营收比重最高的半导体事业部，2022年第四季库存金额达29.1万亿韩元，相比2021年同期大幅增加约12.6万亿韩元。SK海力士也苦陷于一样的问题，根据申报文件，2022年第四季整体库存资产攀升至15.7万亿韩元，年增率高达75%。由于SK海力士业务主要专注于DRAM和NAND Flash，占总营收的90%以上，因此在行情低迷时期容易受到更大打击。报道指出，因疫情红利不再，电视等家电需求已失去支撑，加上美欧主要经济体积极升息，大大削弱消费者的购买力，使得市场充斥着芯片库存过剩，导致芯片价格大幅下跌。产业人士指出，PC DRAM和NAND闪存芯片价格已跌到快接近成本。韩国券商KB Securities预测，2023年第一季，DRAM和NAND Flash价格将分别出现19%、18%的跌幅。根据FnGuide的数据，在芯片价格下跌及高库存的情况下，2023年第一季，三星和SK海力士的芯片业务预计将陷入亏损，其中，三星半导体事业部的营业亏损估计介于1.91万亿至4.47万亿（约14.6亿至34亿美元），而SK海力士为3.11万亿韩元（约23.7亿美元）。堆叠数超300层！SK海力士公告第8代3D NAND 近日，SK海力士宣布第八代3D NAND的详细信息，堆叠层数超过300层，预估将于2024年年底或者2025年年初上市发售。第8代3D NAND容量为1Tb（128GB），具有三级单元和超过20Gb/mm^2 的位密度（bit density）。该芯片的页容量（page size）为16KB，拥有4个planes，接口传输速度为2400MT/s，最高吞吐量为194MB/s（比第7代238层3D NAND快18%）。新NAND的位密度增加近一倍，意味着将显著提高新制造节点的每晶圆生产率，也将降低SK海力士的成本，只是尚不清楚具体程度。据台媒《科技新报》报道，存储大厂南亚科总经理李培瑛表示，就DRAM产业来说，2023年上半年仍非常辛苦，然后到下半年有机会好一点，但是好的程度会到多少，就还必须要看外在因素的情况来决定。针对供应的方面，李培瑛强调，目前全球三大存储厂已经有两家宣布减产，另外一家还在犹豫当中。当然减产后对市场的复苏有利，不过仍需观察这三大厂未来的持续动向而定。另外，过去DRAM景气循环历史当中，每次的景气下滑总是台湾厂商受到重创。但是就这次的情况来看，景气下滑冲击的不在只是台湾厂商，还有国外大厂。因此，就这次来说，相对的竞争压力对台湾厂商来说就会较小，这也让企业对未来的复苏有其信心。李培瑛进一步指出，预计2023年第二季DRAM的跌幅将有机会趋缓。也就是2023年第一季较2022年第四季好一点，2023年第二季又较第一季再好一点。不过，要真正能够止跌则预期需要到2023年的第三季。只是，要能恢复价格上涨，则短期内可能不容易看到。而南亚科技因为较注重在消费型产品上，目前这部分看来状况较为稳定。反观，服务器与PC 等产业方面，则会有比较大的压力。华邦电：当前有回补库存的急单涌入，Q2营运可望大幅提升 据台媒《财经新报》报道，存储大厂华邦电总经理陈沛铭表示，现阶段存储的行情，NOR Flash行情相对平稳，而DRAM的价格在2023年第一季可能下跌双位数百分比。不过，价格跌势可望在第一季触底，使第一季成为华邦电的谷底。预期第二季在DRAM价格跌势止稳之后，价格有机会与第一季持平的情况下，加上当前有回补库存的急单涌入，华邦电第二季的营运表现有望大幅调升。陈沛铭接受媒体专访时表示，目前PC厂已经调整库存已经到达健康水准情况下，使得许多商用PC及消费电子回补库存的急单涌入。另外，因为中国大陆市场的解封，带动需求的成长，预期华邦电的营运在2023年的第一季达到谷底，第二季营运将有机会调升。这情况也使得台中厂目前减产约3至4成，第二季产能利用率将较第一季提升10个百分点，之后维持每季成长的趋势。至于，高雄路竹新厂则是维持满载的状态，以持续提升生产的良率。目前的产能在第一阶段10.5K，未来到第二阶段，也就是到2024年第一季之际将会提升到14K的月产能。而在制程技术方面，预计D20制程将会在2023年下半年正式量产，届时将会有部分当前25S制程的产品转到D20去，这将使得芯片的产出较当前多出40%的数量。不过，D20要大量升产则要到12月之际。陈沛铭强调，第二阶段仅增加每月14K的产能，已经是华邦电为因应行情所做出的调整。美韩存储厂3D DRAM商业化加速，美光技术专利占优势 据台媒《经济日报》报道，三星电子等韩国存储半导体大厂正在加速3D DRAM的商业化，将之视为改变产业游戏规则的重大举措。3D DRAM是一种具有新结构的存储芯片，引入了高介电常数沉积材料和极紫外光刻设备，在传统DRAM架构面临性能与工艺极限的情况下，3D DRAM被视为必由之路，ChatGPT等人工智能应用的兴起，也导致对高性能和大容量存储半导体的需求增加。三星电子半导体研究中心副总裁兼工艺开发办公室负责人Lee Jong-myung近日表示：「3D DRAM 被认为是半导体行业未来的增长动力」。2021年，韩国半导体厂商正式开始讨论3D DRAM的开发，三星电子于2021年在其DS部门内建立了下一代工艺开发团队，开始实质性工程研究。报道称，目前在这一领域，主要厂商的技术竞争也正在升温，除了韩国厂商，内存半导体市场排名第三的美光也正积极准备切入市场，该公司已获得30多项3D DRAM专利技术。相比韩国厂商有明显优势。
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发表于 2023-3-25 11:05:32
